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GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
受賞者紹介 - 応用物理学会
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
ヴィンセント ロビショウ 、 馬島良行 、 本田善央 、 佐野智崇 、 土井友博 、 天野
1. 研究・開発におけるシミュレータの実際
2 - 岩井・角嶋研究室
Si 基板上パワーデバイス向け MOCVD 装置の開発
論文 - 徳島大学 大野泰夫研究室
X帯25 W級小型電力増幅モジュール
AlGaN/GaN HFET 電流コラプス およびサイドゲート効果に関する研究
科学研究費助成事業 研究成果報告書
GaN - 岩井・角嶋研究室
低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
PDFダウンロード（1168KB）
GaN HEMT素子の通信用途に向けた 実用化への取組み
修士論文 - 徳島大学 大野泰夫研究室
論文 - 徳島大学 大野泰夫研究室
薄層AlGaN構造を用いた電源用GaNパワーデバイスの開発
論文 - 徳島大学 大野泰夫研究室
![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)
