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AlGaN/GaN-HFETにおけるリセスエッチング制御技術
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
マイクロプラズマ励起大面積高出力深紫外発光素子（MIPE）について 1
PDFパンフレット(A080 書籍「GaNパワーデバイスの技術展開」)
様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書
要旨を表示する
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
TiSi - 東京工業大学
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
高利得高効率電力増幅器用GaN-HEMT技術
薄層AlGaN構造を用いた電源用GaNパワーデバイスの開発
修士論文 - 徳島大学 大野泰夫研究室
AlN 基板を用いた高Al 組成AlGaN HEMTの開発
