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Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
AlGaN/GaN-HFETにおけるリセスエッチング制御技術
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
マイクロプラズマ励起大面積高出力深紫外発光素子（MIPE）について 1
TiSi - 東京工業大学
薄層AlGaN構造を用いた電源用GaNパワーデバイスの開発
窒化ガリウム系絶縁ゲート型 ヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究
