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イオン注入 GaN MISFET の高性能化に関する研究
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
