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ノーマリオフ型GaN HFETの高性能化
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
