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26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
ヴィンセント ロビショウ 、 馬島良行 、 本田善央 、 佐野智崇 、 土井友博 、 天野
未来のあるべき社会・ライススタイルを創造する技術イノベーション事業
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
受賞者紹介 - 応用物理学会
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
博 士(エ 学) 小 川 恵 理
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様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書
AlGaN/GaN-HFETにおけるリセスエッチング制御技術
窒化物半導体を用いた低消費電力型 高周波デバイスの開発
2 - 岩井・角嶋研究室
SPS2006-02
高耐圧GaNパワーデバイス開発
TiSi - 東京工業大学
分極スーパージャンクションFET
GaN系デバイスへのγ線照射に関する研究
GaNパワーデバイスの 電流コラプスシミュレーション技術
GaN 電子素子特性に結晶欠陥が与える影響
1 - 岩井・角嶋研究室
AlGaN/GaN HEMT パワーデバイス
ノーマリオフ型GaN HFETの高性能化
![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)
