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パワーデバイス用kV 級高耐圧GaN/Si 大口径エピウェーハーの成長
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
