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第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
“酸化ガリウム（Ga2O3）MOS トランジスタ”を世界で初めて実現！
Si，サファイア, SiC，GaN の研磨とそのメカニズム The polishing
![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)
