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（様式 2 ) イ玄Z二言命コピ σコ生既要害芝之てメ 目 第一原理計算による
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
