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V - 名古屋大学
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)