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様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
Si 基板上 GaN-HEMT のコラプス抑制
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
AlGaN/GaN-HFETにおけるリセスエッチング制御技術
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
マイクロプラズマ励起大面積高出力深紫外発光素子（MIPE）について 1
AlN 基板を用いた高Al 組成AlGaN HEMTの開発
窒化ガリウム系絶縁ゲート型 ヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究
窒化物半導体トランジスタの 高温動作に関する研究
