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GaAs 基板上に貼り替えたGaN 系青色半導体レーザ
ブランディ商標調査事業ご案内
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
「マイクロエレクトロニクスにおける大面積レーザリフトオフ加工」（ファイル
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
