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日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
大学における学術研究資源を活用した基盤の戦略的強化について（RU11
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
大学人が考える科学・技術イノベーション―ノーベル物理学賞受賞研究
博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube
照明用LEDパッケージ（実装基板）のプラズマ洗浄
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
第4回 香川県がん診療連携協議会 地域連携・パス部会 議事要旨
受賞者紹介 - 応用物理学会
室温で青色と緑色を発光する 電気ポンピングGaNベースVCSEL
GaN増幅器モジュールを加熱源とする産業用 マイクロ波加熱装置
エネ研ニュース第78号 - 若狭湾エネルギー研究センター
スライド 1 - Keysight
065蓮池 利隆「Khotan 本『アパリミターユル陀羅尼経 - ECHO-LAB
赤色発光する希土類添加窒化物半導体における エネルギー輸送機構の
藤岡 洋 自己組織化グラファイトシート上エレクトロニクスの開発 §1．研究
ノーベル物理学賞への軌跡
