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日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
大学における学術研究資源を活用した基盤の戦略的強化について（RU11
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
大学人が考える科学・技術イノベーション―ノーベル物理学賞受賞研究
博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube
照明用LEDパッケージ（実装基板）のプラズマ洗浄
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
