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第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
大学人が考える科学・技術イノベーション―ノーベル物理学賞受賞研究
博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube
照明用LEDパッケージ（実装基板）のプラズマ洗浄
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
受賞者紹介 - 応用物理学会
室温で青色と緑色を発光する 電気ポンピングGaNベースVCSEL
065蓮池 利隆「Khotan 本『アパリミターユル陀羅尼経 - ECHO-LAB
藤岡 洋 自己組織化グラファイトシート上エレクトロニクスの開発 §1．研究
三重・伊勢湾岸エリア （PDF:92KB）
GaAs 基板上に貼り替えたGaN 系青色半導体レーザ
Si 基板上パワーデバイス向け MOCVD 装置の開発
国内会議 1. 赤坂哲也，中田真佐美，石原俊一，白井 肇，半那純一，清水
X帯25 W級小型電力増幅モジュール
全文（PDF 675KB）
GaN HEMT素子の通信用途に向けた 実用化への取組み
