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X帯25 W級小型電力増幅モジュール
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
vol.76 [ 2012.January ]
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
低コスト実装可能な高耐湿InP HEMT MMICを開発
Eバンド通信用GaN HEMT実現に向けた低容量ゲート技術
![vol.76 [ 2012.January ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000146378_2-b86c78027a7c622c50eff48fa63210da-260x520.png)
