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AlGaN/GaN HFET 電流コラプス およびサイドゲート効果に関する研究
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
