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t - 福井大学
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
