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薄層AlGaN構造を用いた電源用GaNパワーデバイスの開発
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
AlGaN/GaN-HFETにおけるリセスエッチング制御技術
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
要旨を表示する
マイクロプラズマ励起大面積高出力深紫外発光素子（MIPE）について 1
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
PDFパンフレット(A080 書籍「GaNパワーデバイスの技術展開」)
![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)
