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GaN HEMT素子の通信用途に向けた 実用化への取組み
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
Ku帯100W出力GaN HEMT増幅器
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
vol.76 [ 2012.January ]
![vol.76 [ 2012.January ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000146378_2-b86c78027a7c622c50eff48fa63210da-260x520.png)