Slide
Show JP
☰
探り
ログイン
ユーザーアカウントの作成
Upload
×
ダウンロード
No category
GaN 系発光素子の高機能化に関する研究
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
2014 年ノーベル賞 授賞式に参加して
未来のあるべき社会・ライススタイルを創造する技術イノベーション事業
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
