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国内会議 1. 赤坂哲也，中田真佐美，石原俊一，白井 肇，半那純一，清水
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
